瑞芯微推出全新通用快充协议芯片RK835及RK837

2021-04-21

        VOOC闪充协议芯片之后,瑞芯微近日推出了两颗全新的通用快充协议芯片,分别是RK835RK837 

RK835通用快充协议芯片

        瑞芯微RK835是通过了PD2.0/PD3.0/PPS认证的PD3.0协议芯片,TID4325。用于电源角色的USB Type-CPD物理层,并且支撑E-Marker线缆供电,在超低功耗模式下,芯片耗电量低于10μARK835内部集成Arm Cortex-M0内核,60K Flash1K RAM来实现PD和其他专有协议,可支撑10万唇鹕惩穓s8868陨系闹馗瓷章肌RK835具备以下特性:

·      内部集成的ADC可以连续地检测电压,电流,温度和通过GPIO引脚反馈的系统参数

·      所有的GPIO均可配置成边缘触发中断,DP/DM引脚可配置UART模式和BC1.2模式

·      支撑I2C接口和主从模式,内部集成了输出放电功能

·      DP/DM/CC1/CC2引脚均支撑24V耐压,可有效防止损坏的数据线造成产品损坏,并内置了过流、过压和过热保护

< 图为RK835+AC-DC典型应用电路 >

 

        RK835支撑18100W输出,支撑光耦反馈和PII2C接口的电源IC,采用QFN3*3-16封装。

 

RK837通用快充协议芯片:支撑恒压恒流

        瑞芯微RK837是通过了PD2.0/PD3.0/PPS认证的PD3.0协议芯片,TID5141。同时,也通过高通QC4+认证,证书编号20210303222RK837内部集成ARM Cortex-M0内核,64K Flash2K RAM来实现PD和其他专有协议,可以支撑10万唇鹕惩穓s8868陨系闹馗瓷章肌>弑敢韵绿匦裕


·      支撑USB Type-CType-A双接口,支撑I2C接口

·      集成NMOS驱动,VBUS开关管可使用低成本性能好的NMOS,内部集成快速放电电路

·      内部集成高精度ADC,可实现3-22V10mV精度输出,使用5mΩ取样电阻,可实现0.1-12A12mA精度恒流

·      DP/DM/CC1/CC2引脚均支撑26V耐压,可有效防止损坏的数据线造成产品损坏,芯片还内置了过流、过压和过热保护

< 图为RK837应用电路,支撑1A1C输出,采用QFN4*4-24封装>

        瑞芯微的两款通用快充协议芯片,均采用了Arm Cortex-M0核心和大容量Flash,可以支撑10万唇鹕惩穓s8868陨系闹馗瓷章迹奖憧突Ц莶犯恍椋痪弑甘I2C接口,支撑丰富的主流快充协议,能够快速便捷的与各类电源芯片对接。同时具备完善的保护功能,引脚支撑过压保护,芯片内部支撑完善的保护功能,可实现简单可靠的适配器设计。

 

上一篇:搭载瑞芯微RK3566平板产品已通过Android 11 GMS认证   下一篇:瑞芯微推出云终端方案RK3568,高性能,支撑丰富接口

XML 地图 | Sitemap 地图